相比之下，PowiGaN器件不表现出硅器件固有的雪崩击穿机制。它们的内部级联结构和高击穿电压（通常是额定电压的两倍以上）使它们能够承受高电压尖峰和长期的线路膨胀。这些器件在电压尖峰期间会暂时增加电阻，稍微降低效率，但能迅速恢复而不会对性能产生明显影响。即使在多个尖峰事件或长期膨胀下，PowiGaN器件仍能保持安全有效的操作而不会退化。
PowiGaN在未来高压应用中的作用
Power Integrations最近推出的1250 V PowiGaN器件标志着一个重要的进步。该器件允许1000 V的操作峰值并具有显著的降额，提供了对电网不稳定和电力干扰的强大保护。这些器件现在正在进入传统上由碳化硅（SiC）器件主导的领域，扩大了它们的应用范围。
总之，在当前市场中，PowiGaN技术在面对电网不稳定时具有显著优势。它确保在不断扩大的消费市场中提供高质量、可靠的产品。此外，PowiGaN的强大级联结构和更高电压应用的潜力使其成为未来电力电子领域的关键参与者。